| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 半导体器件及其制造方法 | 罗军; 罗军;赵超 | 201010553050.4 | 2010-11-20 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 | 201010299028.1 | 2010-09-29 |
| 沟槽隔离结构及其形成方法 | 钟汇才; 钟汇才;赵超;梁擎擎 | 201010557395.7 | 2010-11-23 |
| 沟槽隔离结构及其形成方法 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎;尹海洲 | 201010552318.2 | 2010-11-19 |
| 应力隔离沟槽半导体器件的形成方法 | 尹海洲; 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 201010527260.6 | 2010-10-29 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;罗军;朱慧珑;骆志炯 | 201010572608.3 | 2010-12-03 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 201010551454.X | 2010-11-18 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 骆志炯; 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 201010548655.4 | 2010-11-18 |
| 采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法 | 闫江; 闫江 | 201010542475.5 | 2010-11-11 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 201010532050.6 | 2010-10-19 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 201010532061.4 | 2010-10-19 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 201010526916.2 | 2010-10-29 |
| 一种半导体结构及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 201010296962.8 | 2010-09-29 |
| 线宽测量方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 201010500353.X | 2010-09-29 |
| 晶体管及其制造方法 | 尹海洲; 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 201010284792.1 | 2010-09-15 |
科研产出