| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种MOS场效应晶体管 | 陈大鹏; 陈大鹏;梁擎擎 | 201010102696.0 | 2010-01-28 |
| 一种闪存器件及其制造方法 | 朱慧珑; 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 201010171371.8 | 2010-05-07 |
| 一种闪存器件及其形成方法 | 朱慧珑; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 201010296053.4 | 2010-09-28 |
| 非对称半导体的结构及其形成方法 | 骆志炯; 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 201010111063.6 | 2010-02-11 |
| 半导体器件及其制作方法 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎 | 201010034166.7 | 2010-01-13 |
| 一种半导体结构及其形成方法 | 朱慧珑; 梁擎擎;徐秋霞;钟汇才;朱慧珑 | 201010501694.9 | 2010-09-30 |
| 金属互连结构及金属层间通孔和互连金属线的形成方法 | 赵超; 赵超 | 201010501703.4 | 2010-09-30 |
| 金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法 | 李永亮; 李永亮;徐秋霞 | 201010269029.1 | 2010-08-31 |
| 半导体结构的制造方法 | 朱慧珑; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 201010269267.2 | 2010-08-31 |
| 应变半导体沟道形成方法和半导体器件 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 201010244987.3 | 2010-08-04 |
| 半导体器件结构及其制作方法 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎;尹海洲 | 201010242704.1 | 2010-07-30 |
| 使用FinFET的非易失性存储器件及其制造方法 | 朱慧珑; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 201010227256.8 | 2010-07-07 |
| 栅极堆叠的制造方法和半导体器件 | 钟汇才; 钟汇才;骆志炯;梁擎擎 | 201010197080.6 | 2010-06-03 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑; 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 201010162118.6 | 2010-04-28 |
| 高温水蒸气和水混合射流清洗系统及方法 | 王磊; | 201010531171.9 | 2010-11-03 |
科研产出