| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 基于霍尔效应的MOS晶体管 | 梁擎擎; 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 201010259644.4 | 2010-08-20 |
| 半导体结构及其制作方法 | 刘佳; 刘佳;骆志炯;王鹤飞 | 201010240109.4 | 2010-07-28 |
| 一种半导体器件及其形成方法 | 赵超; 赵超;王文武;朱慧珑 | 201010257006.9 | 2010-08-18 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 王文武; 王文武;赵超;王晓磊;陈大鹏 | 201010250728.1 | 2010-08-11 |
| 半导体结构及其制造方法 | 朱慧珑; 朱慧珑 | 201010215093.1 | 2010-06-22 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 王文武; 王文武;韩锴;王晓磊;马雪丽;陈大鹏 | 201010220686.7 | 2010-06-28 |
| 一种半导体器件的制造方法 | 韩锴; 韩锴;王文武;王晓磊;马雪丽;陈大鹏 | 201010215854.3 | 2010-06-22 |
| 半导体器件及其制造方法 | 朱慧珑; 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 | 201010159892.1 | 2010-04-27 |
| 一种半导体器件及其制造方法 | 梁擎擎; 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 201010215124.3 | 2010-06-22 |
| 一种隧穿晶体管结构及其制造方法 | 梁擎擎; 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 201010233546.3 | 2010-07-16 |
| 一种接触的制造方法以及具有该接触的半导体器件 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎 | 201010215164.8 | 2010-06-22 |
| 半导体器件及其形成方法 | 尹海洲; 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 201010159895.5 | 2010-04-27 |
| 3D集成电路结构及其形成方法 | 朱慧珑; 朱慧珑 | 201010502039.5 | 2010-09-30 |
| 半导体器件结构及其制造方法 | 钟汇才; 钟汇才;梁擎擎 | 201010242725.3 | 2010-07-30 |
| 一种半导体结构及其制备方法 | 梁擎擎; 梁擎擎;刘洪刚;朱慧珑;钟汇才 | 201010215167.1 | 2010-06-22 |
科研产出