论文--中国科学院微电子研究所

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论文题目	作者	刊物名称	发表年度
Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology	王桂磊; 罗军; 郭奕栾 ;陈韬;殷华湘;朱慧珑;李俊峰;赵超	Solid-State Electronics	2014
一种提取鱼眼镜头成像区域的算法及实现	朱新召; 陈杰 ;刘建;戈志伟	科学技术与工程	2014
Graphene oxide capturing surface-fluorinated TiO2 nanosheets for advanced photocatalysis and the reveal of synergism reinforce mechanism	; 刘琦	Dalton Transactions	2014
一种改进的北斗卫星信号并行捕获方法	李健; 陈杰	宇航学报	2014
2.4GHz SiGe HBT E类高功率放大器	尤云霞; 陈岚; 王海永; 吴玉平;吕志强	电子器件	2014
Thermally assisted magnetic switching of a single perpendicularly magnetized layer induced by an in-plane current	刘明; 龙世兵 ;刘琦;姚志宏;李泠;霍宗亮	APPLIED PHYSICS LETTERS	2014
一种10GHz高增益低噪声放大器设计	郑世程; 吕志强 ;陈岚	微处理机	2014
SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond	王桂磊; 叶甜春 ;罗军 ;李春龙;许高博;余嘉晗;尹海洲;李俊峰;闫江;朱慧珑;赵超;秦长亮;徐烨锋;陈韬;徐强;洪培真;杨涛	The Electrochemical Society	2014
Impacts of Back Gate Bias Stressing on Device Characteristics for Extremely Thin SOI (ETSOI) MOSFETs	唐兆云; 唐波; 赵利川 ;赵超;叶甜春;王桂磊;许静;王红丽;王大海;李俊峰;闫江	IEEE Electron device letters	2014
Uniformity Improvement of 1T1R RRAM with Gate Induced Resistive Switching	刘红涛; 吕杭炳 ;杨保和; 许晓欣;刘若愚;刘琦;龙世兵;刘明	Electron Device Letters	2014
A chemical mechanical planarization model for aluminum gate structures	徐勤志; 陈岚 ;方晶晶 ;杨飞	Microelectronic Engineering	2014
A facile surfactant-free method to prepare Ti0.95Er0.05O2 nanocrystal and its photocatalytic performance	刘琦;	Catalysis Communications	2014
基于SiGe HBT的射频功率放大器	尤云霞; 陈岚 ;王海永; 吕志强	微电子学与计算机	2014
用于无线传感器网络节点的小数分频频率综合器	马骁; 杜占坤 ;刘畅; 刘珂;阎跃鹏;叶甜春	半导体学报	2014
一种基于比较器失配补偿的高稳定性RC振荡器	龙爽; 陈岚 ;陈巍巍; 吕志强	微电子学	2014