| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种结电容测试装置 | 佘超群,朱阳军,陆江,成星,高振鹏; | 201220591686.2 | 2012-11-09 |
| 等离子体放电装置 | 贾少霞,张宸,杨景华,王守国; | 201220720322.X | 2012-12-24 |
| 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片 | 尹海洲,罗军,朱慧珑,骆志炯; | 201190000070.7 | 2011-08-09 |
| 绝缘栅型双极晶体管 | 张文亮,朱阳军,田晓丽; | 201320123024.7 | 2013-03-18 |
| 一种中高压IGBT终端 | 田晓丽,朱阳军,卢烁今; | 201320121922.9 | 2013-03-18 |
| 一种有源区金属与终端区形成电连接的版图 | 褚为利,朱阳军,吴振兴,陆江; | 201320121934.1 | 2013-03-18 |
| 一种IGBT版图 | 喻巧群,张杰,朱阳军,左小珍; | 201220586619.1 | 2012-11-08 |
| 一种IGBT版图 | 喻巧群,朱阳军,左小珍,赵佳,田晓丽; | 201220587115.1 | 2012-11-08 |
| 一种半导体器件 | 褚为利,朱阳军,左小珍,赵佳,田晓丽; | 201220647148.0 | 2012-11-30 |
| 一种IGBT | 张文亮,朱阳军,卢烁今,赵佳; | 201220657534.8 | 2012-12-03 |
| 一种沟槽型IGBT版图结构 | 左小珍,朱阳军,赵佳,田晓丽; | 201220674679.9 | 2012-12-07 |
| 一种逆导型IGBT的背面版图布局 | 张文亮,田晓丽,朱阳军,卢烁今; | 201220689587.8 | 2012-12-13 |
| 一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽 | 张文亮,赵佳,朱阳军,田晓丽; | 201220688948.7 | 2012-12-13 |
| 一种适用于dummy-trench功率器件的版图 | 褚为利,朱阳军,胡爱斌,赵佳,喻巧群,田晓丽; | 201220702762.2 | 2012-12-18 |
| 一种异质结势垒变容管及其制备方法 | 董军荣、黄杰、田超、杨浩、张海英; | 201010543264.3 | 2010-11-15 |
科研产出