| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 一种制备功率器件抗辐照栅结构的方法 | 王立新; | 200710083710.5 | 2007-12-19 |
| 射频电源（RFG-500） | 李勇滔,赵章琰,秦威,李英杰,夏洋; | 201130183823.X | 2011-06-21 |
| IGBT版图 | 赵佳,卢烁今,朱阳军,左小珍; | 201120220830.7 | 2011-06-27 |
| 绝缘栅双极晶体管 | 赵佳,朱阳军,孙宝刚,卢烁今,左小珍; | 201120214540.1 | 2011-06-23 |
| 一种功率半导体器件结电容测试装置 | 陆江,朱阳军,苏江; | 201120221050.4 | 2011-06-27 |
| 一种场环限结构 | 田晓丽,朱阳军,吴振兴,张彦飞,卢烁今; | 201120209191.4 | 2011-06-20 |
| 一种测试系统的控制组合装置 | 伍俊,于进勇; | 201120050095.X | 2011-02-28 |
| 一种制备体硅围栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法 | 宋毅,周华杰,徐秋霞; | PCT/CN2010/074699 | 2010-06-29 |
| 全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法 | 王立新; | 200710122480.9 | 2007-09-26 |
| 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 | 刘梦新, 毕津顺, 范雪梅, 赵超荣, 韩郑生, 刘刚; | 200810057936.2 | 2008-02-21 |
| 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构 | 曾传滨, 海潮和, 李晶, 李多力, 韩郑生; | 200810104230.7 | 2008-04-16 |
| 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件 | 刘梦新, 毕津顺, 范雪梅, 赵超荣, 韩郑生, 刘刚; | 200810057921.6 | 2008-02-21 |
| 双采样乘法数字模拟转换电路及其应用 | 郑晓燕, 周玉梅; | 200710065178.4 | 2007-04-05 |
| 遵循IEEE1149.1协议的通用测试IP方法 | 吴斌, 周玉梅, 黑勇; | 200610012047.5 | 2006-05-31 |
| 带隙基准电压参考电路 | 王晗, 叶青; | 200710303891.8 | 2007-12-26 |
科研产出