| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器 | 刘琦, 刘明, 龙世兵, 贾锐, 管伟华; | 200710304220.3 | 2007-12-26 |
| 非挥发存储器的制备方法 | 朱晨昕，贾锐，李维龙，陈晨，李昊峰，王琴，刘明; | 200810223345.8 | 2008-09-26 |
| 钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法 | 刘明，杨仕谦，王琴，龙世兵; | 200910078478.5 | 2009-02-24 |
| 一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法 | 商立伟，刘明，涂德钰，刘舸，刘兴华; | 200810227456.6 | 2008-11-25 |
| 非挥发存储器的制备方法 | 朱晨昕，贾锐，陈晨，李维龙，李昊峰，王琴，刘明; | 200810223341.X | 2008-09-26 |
| 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法 | 李诚瞻, 魏珂, 刘新宇, 刘键, 刘果果, 郑英奎, 王冬冬, 黄俊, 和致经; | 200710175969.2 | 2007-10-17 |
| npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构 | 金智, 刘新宇; | 200810103253.6 | 2008-04-02 |
| 一种电子束对准标记的制作方法 | 李诚瞻, 黄俊, 郑英奎, 刘果果, 和致经, 魏珂, 刘新宇; | 200710121502.X | 2007-09-07 |
| 一种用于监控介质平坦化过程的方法 | 金智, 刘新宇; | 200810104224.1 | 2008-04-16 |
| 采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法 | 王显泰, 金智; | 200810116044.5 | 2008-07-02 |
| 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法 | 李诚瞻, 魏珂, 郑英奎, 刘果果, 和致经, 刘新宇, 刘键; | 200710179353.2 | 2007-12-12 |
| 基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法 | 武锦, 欧阳思华, 刘新宇, 阎跃鹏; | 200810103650.3 | 2008-04-09 |
| 快速傅立叶变换蝶型单元 | 中瑞, 陈杰, 张浩, 邱昕, 刘壹; | 200710064877.7 | 2007-03-28 |
| 一种用于正交频分复用通信均衡与解调的系统及方法 | 张浩, 陈杰, 亓中瑞, 邱昕; | 200710099547.1 | 2007-05-24 |
| 视频解码中变换扫描表的反变换方法及装置 | 黄玄, 李霞, 陈杰, 周莉; | 200710118002.0 | 2007-06-27 |
科研产出