| 专利名称 | 发明人 | 申请号 | 申请日期 |
|---|---|---|---|
| 电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法 | 刘 明 徐秋霞 陈宝钦 龙世兵 牛洁斌 ; | 200510056279.6 | 2005-04-04 |
| 全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法 | 刘 明 陈宝钦 谢常青 ; | 200510056280.9 | 2005-04-04 |
| 一种替代栅的制备方法 | 徐秋霞 李瑞钊 ; | 200510011506.3 | 2005-03-31 |
| 硅基液晶铝反射电极的钝化保护方法 | 欧 毅 陈大鹏 刘 明 刘 辉 ; | 200510062485.8 | 2005-03-29 |
| 微电力机械系统电可调谐光学滤波器芯片制备方法 | 欧 毅 陈大鹏 孙雨南 崔 芳 王冠亚 刘 辉 ; | 200510062484.3 | 2005-03-29 |
| 超大规模集成电路设计中保持时间快速收敛的方法 | 蒋见花 刘海南 周玉梅 ; | 200510052691.0 | 2005-03-03 |
| 用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法 | 刘 明 叶甜春 谢常青 张建宏 ; | 200510008009.8 | 2005-02-07 |
| 一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法 | 刘 明 王云翔 陈宝钦 徐秋霞 ; | 200510008008.3 | 2005-02-07 |
| 避免ZEP520电子抗蚀剂产生裂纹的方法 | 龙世兵 李志刚 谢常青 刘 明 陈宝钦 ; | 200510006189.6 | 2005-01-31 |
| 一种通过版图设计灵活控制电子束光刻显影时间的方法 | 陈杰智 张建宏 ; | 200510005742.4 | 2005-01-25 |
| 应用于基于氮化镓材料的包封退火方法 | 郑英奎 魏 珂 和致经 刘新宇 ; | 200410101871.9 | 2004-12-30 |
| 高高宽比深亚微米、纳米金属结构的三层制作工艺 | 谢常青 叶甜春 陈大鹏 ; | 200410101872.3 | 2004-12-30 |
| 基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺 | 谢常青 叶甜春 陈大鹏 ; | 200410101873.8 | 2004-12-30 |
| 一种采用纯数字工艺制作的电容 | 郭慧民 陈 杰 ; | 200410098991.8 | 2004-12-23 |
| 纳米压印与光学光刻混合制作T型栅的方法 | 谢常青 范东升 刘 明 ; | 200410098992.2 | 2004-12-23 |
科研产出