微电子仪器设备研发中心

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微纳加工开放实验平台

稿件来源：发布时间：2018-12-19

　　设备中心于2010年底建成微细加工与测试平台。该平台按照千级净化标准建造，占地640m2,是针对下一代集成电路设备关键技术、太阳能电池装备、高亮度LED制造装备和通用型微细加工设备进行自主研发，特别是针对亚32nm节点CMOS工艺、MEMS工艺、太阳能电池工艺和其它特殊工艺，进行设计、加工、及测试服务。

　　近些年，为国内高校、研究所开发了各种MEMS器件，如黑硅器件、微流道生物芯片、高深宽比硅器件、TES器件、THZ器件、马达驱动器件、点火器件。

　　形成了自己的特色工艺加工，如硅材料深刻蚀、键合、ALD薄膜生长工艺、电镀工艺、石英刻蚀工艺、光刻胶清洗工艺等。

　　特色测试服务，如利用AFM、光学轮廓仪、激光共聚焦显微镜进行纳米级形貌、结构的观测，应用X射线衍射仪、傅立叶红外光谱仪、综合热分析仪对物质进行鉴定、结构进行分析，应用椭偏仪、光学膜厚仪等对薄膜厚度及光学参数测试等。

　　实验室被纳入集成电路测试技术北京市重点实验室、微电子器件与集成技术重点实验室、全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术标准化工作组、北京集成电路测试技术联合实验室等。

　　在开放服务的过程中，可以提供对外加工服务，开展不同层次和不同形式的人员培训和学术交流活动，包括研究生培养，为企业培训技术人员、为高校提供课程及实验基地。开放的微纳加工与测试平台不仅是对外服务的平台，更重要的是连接企业、高校和科研之间的桥梁。我们本着探索创新的精神，服务用户的理念，随时欢迎您的到来！

　　工艺器件展示：

中科院微电子研究所-微细加工与测试平台
序号	仪器名称		仪器型号		收费标准		简介
工艺设备
1	磁控溅射台		SP-3		1500/炉+50元/10nm ,可以自带靶材开发工艺		现有靶材为Au、Cr、Al、Ta、Cu、Si、Ti、Mo、Ni、Zn，FeNi合金，其它薄膜溅射自带靶材，最大可同时放入三片8寸圆片。可做反应离子溅射TiO2、Al2O3、ALN等。PVD主反应室可同时放置3种靶材，可选择只进行1种材料独立工作或者同时溅射两种材料或者三种不同材料。
2	等离子体浸没式离子注入机		PIII-100		580元/样品+300元/次（开机）		有成熟的黑硅开发工艺（单晶硅多晶硅都可），可做多种元素的超浅结掺杂注入工艺，能量值可控制到10ev,可用于半导体材料的P、N型注入，也可用于H、He、Ar的注入用于智能剥离SOI材料的研究
3	紫外光刻机		URE-2000/A		400元/样，根据样品进行调整		可曝光2’’-6”圆片，套刻工艺加工，灯源采用1000W直流高压汞灯，曝光波长使用365nm。
4	匀胶机		KW		2寸或小于2寸片30元/片；4寸片80元/片；6寸片150元/片
5	显影工艺加工（含热板）				100元/小时		光刻胶视情况收费，现有光刻胶种类S9920NX-H,S9912NX-H,KMPR1005，AZ4620，SU8 2100。显影液有SU8，FHD-5，AZ300 MIF,AZ400K。
6	可编程数字热板		Echo Therm		50元/小时		最高温度到300
7	快速退火炉		AW810M		100元/样+200元/次开机,O2工艺180元/样+200元/次开机		温度范围为常温到1200℃，可快速升温约20度/s，可分段设置温度曲线，气体可通N2保护
8	硅片清洗机		SFQ-1508T		350元/小时+300（开机），或300元/次+300（开机）
9	旋转冲洗甩干机		CXS-2200B		115元/小时+100元（开机），或100元/次+100（开机）
10	零件超声清洗机				120元/次		功率2KW
11	刻蚀机		KE-320 ICP		（840 +10元/片）/炉+600元（开机）成熟工艺如上：研发工艺加倍；加急加倍ICP100ARIE-100400/样+300开机		KE-320为高密度感性耦合等离子体干法刻蚀机，目前机台具有相对成熟的硅（Si）、蓝宝石（Al2O3）、石英、SiO2、SiNx以及GaN刻蚀工艺，支持现有工艺的优化开发加工、光刻胶灰化处理、材料表面等离子体处理以及其他材料的合作研发加工，支持批量加工。刻蚀机基片卡盘直径320mm，支持2’’X22wafers/4’’X3wafers两种规格
12	刻蚀机		ICP100A		10um以内，1000/样+300元开机,以上按1000工艺+30元/um		成熟工艺硅刻蚀、深刻蚀（100nm-500um），石英刻蚀（100nm-20um），金刚石刻蚀，硼硅玻璃、无碱玻璃、有机高分子塑料材料等。
13	反应离子刻蚀机		RIE-100		400/样+300开机		刻蚀氧化硅、刻蚀氮化硅，刻蚀金刚石、钨，去胶，表面处理工艺，刻蚀PMMA、PET等材料
14	电镀仪		日本		500元工艺+300元/um		可电镀Au、Pt、Ni、Cu，适用于2寸、4寸片，电镀厚度1-30um
15	等离子体增强原子层沉积系统		PEALD		（800 +50元/10nm）/炉+500元（开机）（500元工艺基础费+100元/小时)一般氧化铝7nm/小时，氧化铪3nm/小时，氧化钛3nm/小时		较低的温度下能够进行多种薄膜的沉积，可以完成沉积的薄膜有ZnO，TiO2，Al2O3，既可进行传统的热型ALD工艺，也可以进行新型的等离子体增强型ALD工艺，杂质含量控制在30%以下。
16	键合机		KBS-200S		1500元/样品+300元/次（开机）		阳极键合、共晶键合、焊料键合、黏着键合、扩散键合、熔融键合等多种工艺，主要应用于纳米功能薄膜结构的同、异质衬底转移和先进封装技术，在硅上绝缘体（SOI）、硅上化合物半导体、薄膜太阳能电池、三维封装及微机械系统等众多技术领域有大量的应用
17	蒸发台				200元/小时＋100元/次工艺＋10元/100nm		热蒸发方法蒸镀Ti、Pt、Au、AL膜，蒸发速度较快，100nm-2um
18	LPCVD				1.5元/A+2500元/工艺费		4寸片低应力生长氮化硅、氧化硅,一炉可做15片，双面同时生长

测试仪器
19		原子力显微镜		Veeco Dimension D3100 AFM		265/点+开机费300元/次	可用来测量直径可达200毫米的半导体硅片、刻蚀掩膜、磁介质、CD/DVD、生物材料、光学材料和其它样品的表面特性。扫图最宽范围为90um*90um,最深台阶＜10um。Z轴精度可达0.1nm，XY精度可达1nm。
20		激光共焦显微镜		OPLYMPUS LEXT OSL 4000		300/小时+200元/次（开机），150元/样+200元/次开机	它可获得分辨率高达0.12μm的表面显微图像，通过处理图像，获得样品表面的三维真实形态，最终可测得亚微米级的线宽,面积,体积,台阶,线与面粗糙度,透明膜厚，几何参数等测量数据。
21		台阶仪		P6KLA-Tencor		200元/样+100元/次开机，170元/小时+100元/次开机	工业级设备，高精度，高重复性。可测台阶＜300um，精度可到6埃。
22		椭偏仪		UVISEL 2 法国HORIBA Scientific		200/点+开机费200元,对特殊样品收费另议	全自动化性能，专利光斑可视技术（可选择测试的区域），高精度达到1A，8种微光斑尺寸，可测薄膜的厚度，光学参数N、K值等。
23		四探针电阻测试仪		CRESBOX		200/样+100元/次开机	四探针法测量表面电阻，矩形最大可测156*156mm，圆片最大8inch
24		显微镜		奥林巴斯BX51		65元/小时	电脑实时显示成像，配有1.25倍物镜，最大可检查范围的直径为17.6mm
25		显微镜		奥林巴斯MX61		95元/小时	电脑实时显示成像，可测8inch。配有1.25倍物镜，最大可检查范围的直径为20.8mm.
26		高精度电子天平		METTLER TOLEDO		50元/小时
27		同步热分析仪		STA449F3德国NETZSCH		240元/小时+250元/次（开机）	覆盖-150至2000℃的宽广的温度范围。可以快速而深入地对材料的热稳定性，分解行为，组分分析，相转变，熔融过程等进行表征。
28		太阳能电池IV测试仪		SOL3ANewport		240/小时+100元/次开机，100元/样+100元/次开机	最大可测矩形片156*156mm,圆片8inch，模仿太阳光照射（紫外光线）下的IV曲线
29		光学轮廓仪		MICRO XAM1200		800元/小时+100元/次开机，500元/样+100元/次开机	测量样品表面粗糙度，主要针对光滑表面，测量垂直分辨率是0.1nm，最大纵深为1um。测量表面台阶高度，的最大高度可达5mm。
30		傅立叶红外光谱仪		VERTEX 70V德国布鲁克		500/小时+100元/次开机，300/样+100元/次开机	适用于液体、固体、金属材料表面镀膜等样品。它不仅可以检测样品的分子结构特征，还可对混合物中各组份进行定量分析，本仪器的测量范围为(7500～370) cm-1，常用波数范围(4000～400) cm-1【对应波长范围为(2.5～25)μm】。
31		X射线衍射仪		Smartlab日Rigaku corporation		600元/小时+500元/次（开机），300元/样+500元/次（开机）	仪器采用当前最先进的技术，测角仪测角准确度与精确度达到当前世界先进水平，保证衍射峰位、峰形和强度测量准确、精确。可进行粉末物相分析、晶粒大小判断、结晶度分析、物相含量分析、薄膜分析。仪器包括X射线发生器、高精密测角仪、人工多层膜聚焦镜，五轴薄膜样品台、计算机控制系统、数据处理软件、相关应用软件等。
32		全自动反射式薄膜测量仪		Film-100		350元/小时	可测量硅晶太阳能绒面减反膜，单晶及多晶太阳能基底，一般薄膜膜厚测量，硅晶太阳能绒面减反膜及一般薄膜折射率测量(光学常数n&k),电动平移台实现全表面自动扫描，深紫外宽光谱(有效光谱范围210nm-1000nm)，测量时间：<2s/点，可实现快速精确测量，自动数据分析和报告生成
33		霍尔效应测试仪		Hall 8800		300元/样品	本仪器主要用于量测电子材料重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等。薄膜或体材料均可. 除了用来判断半导体材料导电类型(n或p)以外，它还可应用于LED外延层的质量判定、判断在HEMT组件中二维电子气是否形成以及太阳能电池片的制程辅助。
34		晶圆颗粒检测仪				1000/晶圆+500（开机）	对晶圆全部表面的纳米尺寸的颗粒检测，最小精度到30-40nm

　　联系人：邢建鹏

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