所况介绍
中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所” ）成立于1958年，是我国微电子科学技术与集成电路领域的重要研发机构。微电子所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予权单位之一，是中国科学院大学集成电路学院主承办单位，现设有集成电路科学与工程、电子科学...
所长、党委书记：戴博伟 副所长：曹立强 党委副书记、纪委书记：赵志刚 副所长：李泠
机构设置
科研工作
人才队伍
研究生教育
党建与创新文化
工 会
团 委
妇委会
科学普及
院地合作与产业化
微电子所坚持“企业为主体、市场为导向、产学研结合”方针，进行机制体制创新，探索科技成果转移转化的新途径，提出了“全方位开放合作，将微电子所建设成为推进产业技...
微电子所长期高度重视知识产权工作，在电子信息领域取得了极为可观的知识产权创造和应用成绩，同时培养了一支专业的知识产权运营服务队伍，为高价值知识产权培育运营奠定了坚实的基础。为了面向全产业进行服务，更好地推动产业的知识...
基金工作主要是结合研究所实际和产业发展态势，探索创新链、产业链和金融链结合的产业化发展模式，带动产业资源、资本和市场资源等与科研的结合，盘活微电子所科研成果，进一步推动成果转移转化，产业...
信息公开
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。现在普遍研究的正交相（ orthorhombic phase ，简称“ o相” ） HfO2基铁电材料由于...
物联网与人工智能技术的迅猛发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高要求。基于新型存储器的非易失存内计算技术可实现数据的原位存储与计算、将数据搬运带来的功耗与延迟...
基于HfO2的铁电存储器（ FeRAM ）由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性备受关注。但FeRAM的特性对温度极其敏感，性能受温度影响很大。如何减轻温度对FRAM阵列性能的影响，使其能在高...
随着人工智能和物联网的兴起，数据呈现爆炸式增长。研发具有更快访问速度和更高存储密度的存储器成为必然。阻变存储器因具有简单两端结构易于三维集成、极好的可微缩性、速度快以及低功耗等...
近日，微电子所健康电子中心黄成军研究员团队在单细胞电学特性流式分析方法及高通量实时分析仪器研究方面取得重要进展。仪器入选中科院自主研制科学仪器名录，与宣武医院、北京市胸科医院、...
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。现在普遍研究的正交相（ orthorhombic phase ，简称“ o相” ） HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和...
微电子所在28nm RRAM存内计算电路领域取得进展
微电子所在面向物联网应用的高效联邦学习方向...
中国科学院大学集成电路科学与工程一级学科专...
“集成电路制造工艺与器件”研讨会在微电子所召开
“中国科学院微电子研究所2020年‘惟精惟一’...
霍尼韦尔电子材料部全球总部迁至上海
