刘明

　　刘明，1964年4月出生于江西丰城，微电子科学与技术专家。1985年本科毕业于合肥工业大学，1988年获该校硕士学位，1998年于北京航空航天大学获博士学位。2000年被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任。2008年获得国家杰出青年基金资助。现任中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室主任。2015年当选为中国科学院院士。 

　　刘明研究员长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。代表性成果包括：建立了阻变存储器（RRAM）物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法，产生重要国际影响。拓展了新型闪存材料和结构体系，提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理，为存储器产业发展提供关键理论和技术基础。她发表SCI收录论文250多篇，SCI他引（刘明或合作者均视为自引）超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。在本领域重要国际会议做邀请报告30多次。授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。 

　　刘明研究员曾获国家技术发明二等奖3项（2013年（排名第1）、2007年（排名第2）、2005年（排名第4））、国家科技进步二等奖1项（2009年（排名第4））、中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖（2015年（排名第1））、北京市科学技术一等奖2项（2010年（排名第1）、2003年（排名第10））、北京市科学技术二等奖2项（2014年（排名第1）、2002年（排名第3））、中国真空科技成就奖（2012年）和中科院杰出成就奖（2014年（排名第8））等奖项。