| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Si3 N4/SiO2叠层栅MOS电容抗辐照总剂量研究 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 蔡小五 海潮和 陆江 王立新 刘刚 刘梦新 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《核电子学与探测技术》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 4 |
| 页: | |
| 联系作者: | 蔡小五 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | 本论文主要分析了SiN4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用.同时也发现叠层栅中Si3N4 越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出