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| 论文题目: | PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究 |
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| 作者: | 毕津顺，海潮和 |
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| 刊物名称: | 《固体电子学研究与进展》 |
| 年: | 2008 |
| 卷: | 28 |
| 期: | 1 |
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| 联系作者: | 毕津顺 |
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| 摘要: | 提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理.采用体源连接环形栅器件结构,有效地抑制了浮体环形栅器件中存在的浮体效应和寄生双极晶体管效应,使器件性能得到很大的提高.消除了浮体环形栅器件的反常亚阈值斜率和Kink效应,DIBL从120.7 mV/V降低到3.45 mV/V,关态击穿电压从4.8 V提高到12.1 V.最后指出,体源连接环形栅器件非常适合于抗辐照加固等应用领域. |
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| 外单位作者单位: | |
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