| 论文编号: | |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | 具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件 |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 徐秋霞,钱鹤,段晓峰,刘海华,王大海,韩郑生,刘明,陈宝钦,李海欧 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | 《半导体学报》 |
| 年: | 2006 |
| 卷: | 27 |
| 期: | 13 |
| 页: | 283-290 |
| 联系作者: | 徐秋霞 |
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| 影响因子: | |
| 摘要: | 深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术，特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术，它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%. 而且空穴有效迁移率的改善，随器件特征尺寸缩小而增强. 利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明，在沟道区相应的压应变为-3.6%. 在集成技术优化的基础上，研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路（其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器）, EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物. |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | 中文关键词：应变硅沟道 压应力 Ge预非晶化注入 等效氧化层厚度 栅长 CMOS |
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