脉冲IV法确定AlGaN-GaN 高电子迁移率器件的沟道温度--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120120246
第一作者所在部门:	四室一组
论文题目:	脉冲IV法确定AlGaN-GaN 高电子迁移率器件的沟道温度
论文题目英文:
作者:	刘新宇
论文出处:
刊物名称:	CHIN. PHYS. LETT.
年:	2012
卷:	29
期:	8
页:	087203-1
联系作者:	刘新宇
收录类别:
影响因子:	0
摘要:
英文摘要:
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备注:	SCI收录