| 论文编号: | 1725110120140083 |
| 第一作者所在部门: | 四室一组 |
| 论文题目: | A COMPARATIVE STUDY OF Ge MOSFET USING Al2O3/GeOX/Ge STACKS –FORMING HIGH QUALITY GeOX INTERFACE LAYER TO BOOST DEVICE PERFORMANCE |
| 作者: | 杨旭 |
| 刊物名称: | Proceedings of ICSICT2014 |
| 年: | 2014 |
| 期: | 2014 |
| 页: | 881 |
| 联系作者: | 杨旭 |
| 影响因子: | 0 |
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