| 论文编号: | 1725110120150295 |
| 第一作者所在部门: | 研究生5，微电子重点实验室 |
| 论文题目: | Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory |
| 作者: | 王国明 |
| 刊物名称: | Nanoscale Research Letters |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 10 |
| 期: | 39 |
| 页: | 1-7 |
| 联系作者: | 龙世兵 |
| 影响因子: | 2.779 |
| 论文编号: | 1725110120150295 |
| 第一作者所在部门: | 研究生5，微电子重点实验室 |
| 论文题目: | Impact of program/erase operation on the performances of oxide-based resistive switching memory |
| 作者: | 王国明 |
| 刊物名称: | Nanoscale Research Letters |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 10 |
| 期: | 39 |
| 页: | 1-7 |
| 联系作者: | 龙世兵 |
| 影响因子: | 2.779 |
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