| 论文编号: | 1725110120150256 |
| 第一作者所在部门: | 先导中心 |
| 论文题目: | 在SiGeC衬底上直接生长石墨烯 |
| 作者: | 魏胜 |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 40 |
| 期: | 7 |
| 页: | 537-541 |
| 联系作者: | 罗军 |
| 影响因子: | 0.5 |
| 论文编号: | 1725110120150256 |
| 第一作者所在部门: | 先导中心 |
| 论文题目: | 在SiGeC衬底上直接生长石墨烯 |
| 作者: | 魏胜 |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 40 |
| 期: | 7 |
| 页: | 537-541 |
| 联系作者: | 罗军 |
| 影响因子: | 0.5 |
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