论文编号: | 1725110120150255 |
第一作者所在部门: | 先导中心 |
论文题目: | Simulation and characterization of stress in FinFETs using novel LKMC and nanobeam diffraction methods |
作者: | 郭奕栾 |
刊物名称: | Journal of Semiconductors |
年: | 2015 |
卷: | 36 |
期: | 8 |
页: | 1-5 |
联系作者: | 罗军 |
影响因子: | 0.408 |
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