基于40nm CMOS工艺的DAC IP核物理与时序建模--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150230
第一作者所在部门:	EDA中心
论文题目:	基于40nm CMOS工艺的DAC IP核物理与时序建模
论文题目英文:
作者:	王东
论文出处:
刊物名称:	微电子学与计算机
年:	2015
卷:	32
期:	2
页:	56-64
联系作者:
收录类别:
影响因子:	0.2054
摘要:
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