| 论文编号: | 1725110120150222 |
| 第一作者所在部门: | 先导中心 |
| 论文题目: | FinFETs using reverse substrate layer with improved gate capacitance characteristics for subthreshold application |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 魏星 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Solid-state electronic |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 104 |
| 期: | 2015 |
| 页: | 116-121 |
| 联系作者: | 朱慧珑 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 1.504 |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出