| 论文编号: | 1725110120150211 |
| 第一作者所在部门: | 高频高压中心 |
| 论文题目: | Comparative Study of AlGaN/GaN HEMTs with LPCVD- and PECVD-SiNx Passivation |
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| 作者: | |
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| 刊物名称: | International Conference on CompoundSemiconductor Manufacturing technology |
| 年: | 1949 |
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| 期: | 30 |
| 页: | 173-176 |
| 联系作者: | 王鑫华 |
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科研产出