| 论文编号: | 1725110120150195 |
| 第一作者所在部门: | 高频高压中心 |
| 论文题目: | Effect of alloying temperature on the capacitance–voltage and current–voltage characteristics of low-pressure chemical vapor deposition SiNx/n-GaN MIS structures |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 马晓华 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Physics Status Solidi A |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 212 |
| 期: | 12 |
| 页: | 2928-2935 |
| 联系作者: | 王鑫华,刘新宇 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 1.616 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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