| 论文编号: | 1725110120150146 |
| 第一作者所在部门: | 研究生1 |
| 论文题目: | Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 赵星 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Chinese Physics C |
| 年: | 2015 |
| 卷: | |
| 期: | 9 |
| 页: | 096101-1-096101-7 |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0.2311 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出