| 论文编号: | 1725110120150119 |
| 第一作者所在部门: | 高频高压中心 |
| 论文题目: | O3-sourced atomic layer deposition of high quality Al2O3 gate dielectric for normally-off GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 黄森 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Applied Physics Letters |
| 年: | 2015 |
| 卷: | 106 |
| 期: | 3 |
| 页: | 033507-1-033507-5 |
| 联系作者: | |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 3.515 |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出