| 论文编号: | 1725110120160107 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Positive bias temperature instability degradation of buried InGaAsChannel n-MOSFETs with InGaP barrier layer and Al2O3 dielectric |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 王盛凯 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE Transactions on Magnetics |
| 年: | 2016 |
| 卷: | |
| 期: | 1 |
| 页: | 1 |
| 联系作者: | 刘洪刚 |
| 收录类别: | |
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