| 论文编号: | 1725110120160078 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 黄森 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE Electron Device Letters |
| 年: | 2016 |
| 卷: | 37 |
| 期: | 12 |
| 页: | 1617 |
| 联系作者: | 黄森 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
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| 备注: | |
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