| 论文编号: | 1725110120160076 | 
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Effect of interface and bulk traps on the C–V characterization of a LPCVD-SiNx/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor structure | 
| 论文题目英文: | |
| 作者: | |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Semiconductor Science and Technology | 
| 年: | 2016 | 
| 卷: | 31 | 
| 期: | 6 | 
| 页: | 065014-1 | 
| 联系作者: | 黄森 | 
| 收录类别: | |
| 影响因子: | |
| 摘要: | |
| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出