| 论文编号: | 1725110120160075 |
| 第一作者所在部门: | |
| 论文题目: | Normally-Off GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated with LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | IEEE Transactions on Electron Devices |
| 年: | 2016 |
| 卷: | 63 |
| 期: | 2 |
| 页: | 614 |
| 联系作者: | 黄森,王鑫华,刘新宇 |
| 收录类别: | |
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| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出