教育背景
2003.9—2007.7 南京理工大学 电子科学与技术 学士学位
2007.9—2012.7 中国科学院微电子研究所 微电子与固体电子学 博士学位
工作简历
2012.7—2017.4 中国科学院微电子研究所 助理研究员，所团委委员
2017.4—2022.9 中国科学院微电子研究所 副研究员
2022.9-至今 中国科学院微电子研究所 研究员
其中，2017.5起所团委副书记，2018.12起高频高压中心副主任，2021.10起高频高压中心主任。
中国科学院青年创新促进会会员
中国电力企业联合会电力集成电路标准化技术委员会委员
III族氮化物微波功率器件
化合物半导体界面物理与异质集成
1.国家重大科研仪器研制项目，“新型GaN电子器件低界面态介质生长系统”项目，核心骨干（执行负责人）；
2.国家自然科学基金青年项目，“兼容CMOS工艺的Ga2O3辅助GaN-to-Si异质键合技术及机理研究”项目，项目负责人；
3.国家自然科学基金重点项目，“宽频段全数字发信机设计理论与关键技术”项目，联合单位课题负责人；
4.“AlN辅助生长器件研究”，项目负责人；
5.中国科学院青年创新促进会会员项目；
6.中科院科技服务网络（STS）区域重点项目，“硅基氮化镓增强型电力电子核心器件与产业化”项目，项目负责人；
[1] Kexin Deng, Xinhua Wang*, et al. Effective suppression of deep interface states and dielectric trapping in SiNx/GaN metal-insulator-semiconductor structures by a SiOxNy interfacial layer grown by plasma-enhanced atomic layer deposition. Applied Surface Science, vol.607, p. 154937, 2023
[2] Xinhua Wang, et al. Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing. ACS Appl. Mater. Interfaces, vol. 13, no. 6, pp. 7725–7734, 2021.
[3]Kexin Deng+, Xinhua Wang+*, et al. Suppression and characterization of interface states at low-pressure-chemical-vapor-deposited SiNx/III-nitride heterostructures. Applied Surface Science, vol. 542, p. 148530, 2021.
[4] Xinyu Liu+, Xinhua Wang+,*, et al. “Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,” ACS Appl. Mater. Interfaces，10(25), pp. 21721–21729 , 2018.
[5] Xinhua Wang, et al. Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer. IEEE Electron Device Letter, 36(7), p.666, 2015
[6] Wang Xinhua, et al. Effect of GaN Channel Layer Thickness on DC and RF Performance of GaN HEMTs With Composite AlGaN/GaN Buffer. IEEE Transaction on Electron Device. 2014, 61(5),p. 1341
人才队伍