教育背景
2006.09-2011.07 中国科学院微电子研究所 物理电子学专业 工学博士
2002.09-2006.07 西南交通大学 电子科学与技术专业 学士
工作简历
2024.12-至今 中科院微电子所 先导中心 研究员
2018.03-2024.12 中科院微电子所 先导中心 副研究员
2011.10- 2018.03 中科院微电子所 先导中心 助理研究员
面向FDSOI的平面及三维器件集成及其关键技术研究
1. 1X纳米FDSOI先导集成工艺研究，广东省重点领域研发计划，课题负责人
2. 用于光电化学分解水的NixSi/Si复合光电极研究，国家自然科学基金，课题负责人（合作）
3. 院校技术合作，面向1X纳米技术代的FDSOI器件集成技术，项目负责人
4. 横向课题/企业前沿技术合作, 低温先进金属硅化物技术合作项目，项目负责人
5. 横向课题/企业前沿技术合作, 先进逻辑器件低阻接触技术研究，项目负责人
作为技术骨干，参与国家科技重大专项、中国科学院战略性先导科技专项(A类)等10余项
在国内外知名半导体电子器件杂志（包括EDL、TED、APL等）上发表过60多篇学术论文。
1. K. Tong et al., "Demonstration of EOT Scaling in Si NSFETs Using Dead-Layer-Suppressed HfZrO2/ZrO2 Stacks Near Morphotropic Phase Boundary," in IEEE Electron Device Letters, Early Acesss, doi: 10.1109/LED.2026.3697108. (通讯作者)
2. W. Zhang et al., "Linear and Precise VFB Modulation Via LaFMD-Induced Dipoles in TiN/HfO2/SiO2 Gate Stacks Without EOT and Dielectric Thickness Penalty," in IEEE Electron Device Letters, Early Acesss, doi: 10.1109/LED.2026.3693089. (通讯作者)
3. W. Zhang et al., "Linear VFB Tuning and Interface Improvement via TMA/Ultrathin HfO2 Dual-Buffer in La2O3 Dipole-First Gate Stacks," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 73, no. 6, pp. 3544-3550, June 2026, doi: 10.1109/TED.2026.3687176. (通讯作者)
4. H. Gao et al., "Enhanced Thermal Stability and Reduced Specific Contact Resistivity in p-Type SiGe Ohmic Contact Through Ultrathin Mo Interlayer," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 73, no. 1, pp. 694-697, Jan. 2026, doi: 10.1109/TED.2025.3636856. (通讯作者)
5. W. Zhang et al., "Linear VFB Modulation and Interface Improvement in La2O3 Dipole-First Gate Stack via TMA Pre-Treatment Without EOT Deterioration," in IEEE Electron Device Letters, vol. 46, no. 12, pp. 2249-2252, Dec. 2025, doi: 10.1109/LED.2025.3619547. (通讯作者)
6. K. Tong et al., "Enhancement of Ferroelectricity in Hf0.5Zr0.5O2 via Pre-Crystallization and Interface Engineering at Ultra-Low Temperature (300 °C) Annealing," in IEEE Electron Device Letters, vol. 46, no. 6, pp. 928-931, June 2025, doi: 10.1109/LED.2025.3563376. (通讯作者)
7. Y. He et al., "Optimizing Cobalt Silicide Interfaces With Carbon PAI: Enhanced Thermal Stability and Reduced Specific Contact Resistivity for DRAM Applications," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 71, no. 10, pp. 6244-6248, Oct. 2024, doi: 10.1109/TED.2024.3430890. (通讯作者)
8. X. Chen et al., "Enhanced Thermal Stability and Reduced Specific Contact Resistivity in Titanium-Based Ohmic Contact With an Ultra-Thin Molybdenum Interlayer," in IEEE Electron Device Letters, vol. 45, no. 7, pp. 1281-1284, July 2024, doi: 10.1109/LED.2024.3401188. (通讯作者)
9. Y. Liu et al., "Insertion of Hafnium Interlayer to Improve the Thermal Stability of Ultrathin TiSix in TiSix/n+-Si Ohmic Contacts," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 69, no. 6, pp. 3347-3352, June 2022, doi: 10.1109/TED.2022.3166719. (通讯作者)
10.Su, Xueyin, et al. "Comparative Cryogenic Investigation of FD-SOI Devices with Doped Epitaxial and Metallic Source/Drain." ECS Journal of Solid State Science and Technology, vol. 13, no.6， pp.065001, 2024, doi:10.1149/2162-8777/ad4de0. (通讯作者)1.许静,闫江,陈邦明,王红丽,唐波,唐兆云,徐烨锋,李春龙,杨萌萌,半导体器件及其制造方法, 申请号：201410340104.7，申请日：2014.7.16，授权公告日：2018.12.4
2.许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐波，唐兆云，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410339800.6，申请日：2014.7.16，授权公告日：2018.6.1
3.许静，闫江，陈邦明，唐波，王红丽，一种基于体硅的SOI-FinFET的制作方法，申请号： 201611123442.0，申请日：2016.12.08，授权公告日：2019.6.21
4.许静,闫江,陈邦明,王红丽等,一种半导体器件及其制造方法, 申请号： 201510604676.6，申请日：2016.12.08，授权公告日：2020.4.14
5.许静,罗军,唐兆云,唐波等,一种半导体器件的制造方法, 申请号： 201810118534.2，申请日：2018.2.6，授权公告日：2020.7.24
6.唐波，许静，闫江，陈邦明，王红丽，唐兆云，徐烨锋，李春龙，杨萌萌，半导体器件及其制造方法，申请号： 201410339866.5，申请日：，授权公告日：2018.7.13
7.唐波,许静,闫江,陈邦明,王红丽,唐兆云,徐烨锋,李春龙,杨萌萌, 半导体器件的制造方法, 申请号： 201410339799.7，申请日：2014.7.16，授权公告日：2019.5.28
8. 毛淑娟，罗军，许静，一种CMOS晶体管、CMOS晶体管的制备方法及电子设备，申请号：201910837294.6，申请日：2019.12.31，授权公告日：2021.9.14
9.毛淑娟，罗军，许静，半导体器件与其制作方法，申请号：201811291654.9，申请日：2018.10.31，授权公告日：2021.7.9
10.王文，罗军，许静，芯片的切割方法，申请号：201910108642.6，申请日：2019.2.3，授权公告日：2021.3.9
中科院微电子所优秀员工一次
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