教育背景

2001.09-2004.03 北京科技大学 硕士

1993.09-1997.07 曲阜师范大学 学士

工作简历

2012.08-至今 中国科学院微电子研究所 高级工程师

2004.5-2012.8 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 资深工程师

先后作为任务负责人和核心骨干承担重大项目以及华为海思、清华大学和超弦研究院等横向项目共17项

1. 集成电路抢占科技制高点专项《先进逻辑器件及其制造技术》VGAA原型器件和工艺 骨干；

2. 中国科学院先导专项《高性能SRAM存储单元研制和验证》核心骨干

3. 《GAA晶体管核心工艺技术》攻关项目核心骨干

共发表SCI论文67篇，期中一作和通讯作者20余篇

1. A Comprehensive Analysis of Vertical and Lateral Gate-All-Around FETs and a Performance Comparison of the Ring Oscillators Composed of Them， IEEE Transactions on Electron Devices，2026，通讯作者

2. Asymmetrical Source/Drain Induced Localized Hot-Carrier Degradation and Parasitic PBTI in n-Type Vertical Nanosheet FET，IEEE Transactions on Electron Devices，2026，通讯作者

3. Complementary Vertical FETs (CVFETs) Enabled by a Novel Dual-Side Process，IEEE Electron Device Letters，通讯作者

4. CMOS Scaling for the 5 nm Node and Beyond: Device, Process and Technology，Nanomaterials，共同一作

5. New structure transistors for advanced technology node CMOS ICs，National Science Review，共同一作

6. First Demonstration of Vertical Sandwich GAA TFETs with Self-Aligned High-k Metal Gates and Abrupt Doping Tunneling Junctions，ECS Journal of Solid State Science and Technology，第一作者

7. Demonstration of Germanium Vertical Gate-All-Around Field-Effect Transistors Featured by Self-Aligned High-κ Metal Gates with Record High Performance，ACS Nano，通讯作者

8. First Demonstration of Novel Vertical Gate-All-Around Field-Effect-Transistors Featured by Self-Aligned and Replaced High-κ Metal Gates，Nano Letters，通讯作者

9. Vertical Sandwich GAA FETs With Self-Aligned High-k Metal Gate Made by Quasi Atomic Layer Etching Process，IEEE Transactions on Electron Devices，第一作者

10.Ferroelectric Vertical Gate-All-Around Field-Effect-Transistors with High Speed, High Density, and Large Memory Window，IEEE Electron Device Letters，通讯作者

微电子所申请37件，授权20余项

1. 一种垂直沟道晶体管及其制造方法，CN122180116A，第一发明人

2. 一种垂直沟道SRAM单元、其制作方法、存储器及电子装置，CN122180063A，第一发明人

3. 垂直器件的制备方法和垂直器件，CN119584569A，第一发明人

4. 一种三维存储器的制造方法及三维存储器，CN119403127B，第一发明人

5. SRAM单元及其制造方法、包括SRAM单元的存储器和电子设备，CN120711716A，第一发明人

一种刻蚀装置及刻蚀方法，CN110581095B，第一发明人

1. 2022年荣获科技部首届全国颠覆性技术创新大赛总决赛优胜奖

2. 2021年度中科院微电子所“先进工作者”

3.2019年度中科院微电子所“优秀共产党员”