专利名称: 干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构
专利类别:
申请号: 90109813.2
申请日期: 1990-12-19
专利号: CN1052571
第一发明人: 罗澎 金钟元 韩阶平 马俊如
其它发明人:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要: 本发明涉及干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构。本发明提供一种磁控反应离刻蚀机上施加磁场的永磁磁路结构,该永磁磁路结构设于反应室内直接构成磁场,由一对包括许多永磁磁铁单元的极板,一个软铁回路以及角铁组成。通过调整可使硅片刻蚀区形成均匀的强度可调的磁场。本发明磁路结构简单,可降低设备制造成本,提高精度,提高设备可靠性和易操作性。
其它备注: