| 专利名称: | 万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 96109872.4 |
| 申请日期: | 1996-09-25 |
| 专利号: | CN1149200 |
| 第一发明人: | 黄令仪 陈晓东 朱亚江 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本ＣＭＯＳ晶体管ＶＬＳＩ的制造方法包括下列步骤：依据集成电路逻辑功能，确定晶体管的长宽比值；选择时序组件，建立内部单元库及Ｉ／Ｏ单元库；进行逻辑模拟、布局和布线；预埋多个延迟组件；工艺加工和测试分析；以及调整时序。本方法，库的负载能力和性能良好，版图面积得到优化。由于预埋了延迟组件，即使工艺流程结束后发现了局部时序出错，也只需修改少数掩膜版和工序，就可ＶＬＳＩ完成的制造，因而降低了制造成本。 |
| 其它备注: | |
科研产出