| 专利名称: | 70纳米器件工艺剖面结构的实现方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 00135748.4 |
| 申请日期: | 2000-12-19 |
| 专利号: | CN1360342 |
| 第一发明人: | 徐秋霞 钱鹤 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种70纳米器件工艺剖面结构的实现方法，其主要步骤如下：步骤1：横向限定的超陡的倒掺杂纵向沟道剖面的实现；步骤2：沟道区注氮后栅氧化；步骤3：横向沟道剖面控制的实现；本发明具有不需大型的专用设备、成本低、环境污染小和工艺简单的优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出