| 专利名称: | 锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法 |
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| 申请号: | 00135751.4 |
| 申请日期: | 2000-12-19 |
| 专利号: | CN1360343 |
| 第一发明人: | 徐秋霞 殷华湘 钱鹤 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利摘要: | 一种锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法，在硅表面上用元素锗的预无定形注入，进行快速热退火，形成超浅的PN结与NP结，消除注入损伤带来的结漏电，步骤为：(1)在原始硅片上形成低掺杂的阱；(2)一次光刻，局部场氧化隔离，形成有源区；(3)锗重离子预无定形注入；(4)通过两次光刻分别进行二氟化硼和砷的低能注入各形成PN结与NP结；(5)低温侧墙氧化淀积，光刻和RIE刻蚀深源漏区；(6)深源漏区注入；(7)快速热退火。 |
| 其它备注: | |
科研产出