| 专利名称: | 一种氮化氧化膜的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 02147232.7 |
| 申请日期: | 2002-10-18 |
| 专利号: | CN1404113 |
| 第一发明人: | 徐秋霞 侯瑞兵 高文方 韩郑生 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种氮化氧化膜的制备方法，将氮离子注入到硅衬底中再氧化。步骤为：在完成隔离的硅片上清洗后生长注前氧化膜，然后对有源区进行14N+注入；漂净注前氧化膜；清洗后用HF/IPA/H2O室温下浸泡，去离子水冲洗，甩干立即进炉；大流量N2保护下550℃进舟，慢推，大流量N2保护；升温至700-900℃，N2恒温；同一温度下，N2/O2＝5∶1气氛氧化，氧化时间1-120分钟；N2气氛，700-900℃退火，15-60分钟；N2保护下降温至550℃，再在大流量N2保护下慢拉出舟；化学汽相沉积(LPCVD)多晶硅：温度620℃，压力0.2乇，SiH4200sccm，Ar800sccm。 |
| 其它备注: | |
科研产出