| 专利名称: | 改善临近效应的源漏结构制作方法 |
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| 申请号: | 02141341.X |
| 申请日期: | 2002-07-05 |
| 专利号: | CN1466176 |
| 第一发明人: | 刘训春 张海英 石华芬 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明一种改善临近效应的源漏结构制作方法，包括如下步骤：(1)根据场效应晶体管的每个源漏图形按照源漏的宽度进行分割，使源图形与漏图形相邻的边为锯齿状，进行制版；(2)在待制作源漏的基片上涂胶，光刻，显影，形成胶图形；(3)金属蒸发，使其上覆盖一层金属层；(4)剥离，去掉多余的金属层，形成获得源漏图形；对场效应晶体管的每个源漏图形按照源漏的宽度进行分割，使源图形与漏图形相邻的边为锯齿状。 |
| 其它备注: | |
科研产出