| 专利名称: | 高速低功耗动态无比移位寄存器结构 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 02154591.X |
| 申请日期: | 2002-12-10 |
| 专利号: | CN1506978 |
| 第一发明人: | 金湘亮 陈杰 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明一种高速低功耗动态无比移位寄存器结构，包括：一个位选通开关用N型MOS晶体管，其栅极接第一不重叠时钟信号，衬底接地，漏极接输入触发信号；一个电容，接位选通开关用N型MOS晶体管的源极，另一端接地；两个反相对管，反相对管由一个N型MOS晶体管和一个P型MOS晶体管构成，该反相对管的栅极相连接并接至电容的一端，反相对管的N型MOS晶体管的源极与P型MOS晶体管的漏极相连接，N型MOS晶体管的衬底接地，P型MOS晶体管的衬底接电源；另一反相对管中的P型MOS晶体管的衬底接输入触发信号；另一反相对管的栅极接前一反相对管的N型MOS晶体管的源极和P型MOS晶体管的漏极。具有速度快、芯片面积小的优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出