| 专利名称: | 低噪声双极结型光敏场效应晶体管及制作方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 03123140.3 |
| 申请日期: | 2003-04-17 |
| 专利号: | CN1538532 |
| 第一发明人: | 金湘亮 陈杰 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
| 国外申请方式: | |
| 专利授权日期: | |
| 缴费情况: | |
| 实施情况: | |
| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明一种低噪声双极结型光敏场效应晶体管，包括：一N-型的半导体硅基衬底；一导电沟道为P型导电沟道，该P型导电沟道制作在N-型的半导体硅基衬底上；一注入多数电子的N+区，该注入多数电子的N+区制作在P型导电沟道的一侧；一注入多数电子的N+区构成光电二极管，该注入多数电子的N+区构成光电二极管制作在导电沟道为P型导电沟道的中间；一注入多数空穴的P+区，该为注入多数空穴的P+区制作在导电沟道为P型导电沟道的另一侧。 |
| 其它备注: | |
科研产出