| 专利名称: | 一种用负性电子抗蚀剂制备纳米电极的方法 |
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| 申请号: | 200610003531.1 |
| 申请日期: | 2006-02-09 |
| 专利号: | CN101017778 |
| 第一发明人: | 龙世兵 刘 明 陈宝钦 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种采用负性电子抗蚀剂制备纳米电极的方法。本发明的主要特征 是利用电子束光刻(EBL)在各种衬底上获得间距为纳米尺度的一对或一 组负性电子抗蚀剂凸立图形，再用刻蚀工艺制备各种材料的纳米电极。 其主要步骤包括：在绝缘衬底上生长导电性好的金属或半导体导电层； 涂敷负性电子抗蚀剂；前烘；电子束直写曝光；显影；定影；刻蚀；去 胶。采用这种方法制备的纳米电极的间距可达到20-100nm，可用于制 作各种量子点器件、纳米线、纳米管器件、单电子器件等多种器件或电 路。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、用途多、能与传统CMOS 工艺兼容的优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出