| 专利名称: | 一种单电子器件的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200810239884.0 |
| 申请日期: | 2008-12-19 |
| 专利号: | CN101436543 |
| 第一发明人: | 李维龙 贾 锐 陈 晨 朱晨昕 李昊峰 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及纳米器件制作技术领域的一种单电子器件的制备方法。为了解 决现有单电子器件制备技术中过于依赖电子束光刻，增加了电子束光刻难度的 缺点，本发明的目的在于提供一种单电子器件的制备方法，采用电子束光刻技 术制作电极图形，通过电子束蒸发手段制备薄层硅，然后通过快速退火技术将 表面的薄层硅制作成硅量子点。本发明工艺步骤简单，能与传统的微电子工艺 兼容。使用本发明方法制备的单电子器件具有很大的一致性，且操作电压低、 功耗小。 |
| 其它备注: | |
科研产出