| 专利名称: | 实现单片集成GaAs基E/D MHEMT的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200710177790.0 |
| 申请日期: | 2007-11-21 |
| 专利号: | CN101442025 |
| 第一发明人: | 徐静波 张海英 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种实现单片集成GaAs基E/D MHEMT的方法流 程图，该方法利用常规D MHEMT外延材料，在常规D MHEMT外延 材料上依次进行如下工艺步骤：源漏制作、台面隔离、增强栅光刻、 增强型栅槽腐蚀、蒸发Pt/Ti/Pt/Au作为增强型栅金属、耗尽型栅光刻、 耗尽型栅槽腐蚀、蒸发Ti/Pt/Au作为耗尽型栅金属、退火处理、金属 布线和金属剥离，实现单片集成砷化镓基增强/耗尽型MHEMT。利用 本发明，达到了利用常规D MHEMT外延材料实现单片集成GaAs基 E/D MHEMT的目的。 |
| 其它备注: | |
科研产出