| 专利名称: | 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910306624.5 |
| 申请日期: | 2009-09-07 |
| 专利号: | CN101640227 |
| 第一发明人: | 白 云 麻 芃 刘 键 朱 杰 饶志鹏 刘新宇 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件 技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲 层、n型Al0.65Ga0.35N层、i型Al0.45Ga0.55N层、p型Al0.45Ga0.55N层和n型Al0.45Ga0.55N层，在所述 n型Al0.45Ga0.55N层上设置有第一上电极，在所述n型Al0.65Ga0.35N层上设置有第二上电极。本 发明具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器能够对微弱的光电流信号进行放大，从而实现信 号增益，提高器件的响应率。 |
| 其它备注: | |
科研产出