| 专利名称: | 一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910307689.1 |
| 申请日期: | 2009-09-25 |
| 专利号: | CN101656208 |
| 第一发明人: | 李永亮 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明涉及一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法，属于集成电路制造技术领域。所 述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成TaN金 属栅电极层，并在其上形成非晶硅硬掩膜；采用干法刻蚀所述非晶硅硬掩膜形成硬掩膜的图 形；采用湿法腐蚀对未被所述硬掩膜的图形覆盖的TaN金属栅电极层进行选择性腐蚀；采用 湿法腐蚀去除所述硬掩膜的图形。本发明以非晶硅为硬掩膜，采用湿法腐蚀TaN金属栅电极 层时，可以实现高选择比的TaN金属栅电极层的去除；另外，采用湿法腐蚀液去除剩余的非 晶硅硬掩膜时，对TaN金属栅电极层和高K栅介质层的选择比很高，不存在兼容性问题。 |
| 其它备注: | |
科研产出