| 专利名称: | 一种镍-自对准硅化物的制备方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200910077621.9 |
| 申请日期: | 2009-02-09 |
| 专利号: | CN101800171A |
| 第一发明人: | 尚海平 徐秋霞 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种镍-自对准硅化物的制备方法，该方法包括：步骤1：采用氮化钛/镍/硅固相反应结构，通过镍与硅的固相反应生长硅化镍薄膜；步骤2：采用氢氟酸/异丙醇溶液对硅片进行清洗；步骤3：溅射氮化钛/镍膜前对真空腔及硅片进行退火处理；步骤4：在硅片上溅射氮化钛/镍复合金属膜；步骤5：采用镍-自对准硅化物工艺形成镍化硅。本发明提供的这种镍-自对准硅化物的制备方法，可利用现有的设备，具有工艺简单、易行、成本低和没有环境污染的优点。 |
| 其它备注: | |
科研产出