| 专利名称: | 一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法 |
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| 申请号: | 200910077622.3 |
| 申请日期: | 2009-02-09 |
| 专利号: | CN101800177A |
| 第一发明人: | 胡爱斌 徐秋霞 |
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| 专利摘要: | 本发明公开了一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行氧化和刻蚀，形成有源区；在有源区内形成超薄二氧化硅膜；对形成超薄二氧化硅膜的硅片进行钝化处理，使硅片表面的硅原子和硫原子形成化学键；对钝化后的硅片进行金属电极材料淀积，形成金属电极。利用本发明，解决了金属和硅形成的肖特基二极管势垒主要受半导体硅表面态影响的问题。 |
| 其它备注: | |
科研产出