| 专利名称: | 新结构肖特基毫米波混频二极管 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200310122345.6 |
| 申请日期: | 2003-12-16 |
| 专利号: | CN1630101 |
| 第一发明人: | 张海英 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利授权日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 本发明一种新结构肖特基毫米波混频二极管，其芯片的外延结构为：在砷化镓衬底上生长一层重掺杂砷化镓第一外延层，在第一外延层的上面生长一层轻掺杂砷化镓第二外延层。本发明优化设计了外延层结构。 |
| 其它备注: | |
科研产出