| 专利名称: | 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200410047532.7 |
| 申请日期: | 2004-05-21 |
| 专利号: | CN1700421 |
| 第一发明人: | 徐秋霞 钱 鹤 刘 明 赵玉印 |
| 其它发明人: | |
| 国外申请日期: | |
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| 专利证书号: | |
| 专利摘要: | 一种纳米线宽多晶硅栅刻蚀掩膜图形的形成方法，其主要步骤如下： (1)在超薄栅介质上淀积多晶硅，然后淀积TEOS SiO2薄膜；(2)光刻栅图 形；(3)胶的灰化；(4)氟化和烘烤；(5)反应离子腐蚀TEOS SiO2；(6)去胶 清洗；(7)湿法化学腐蚀TEOS SiO2，达到需要线宽止。本发明可制备15- 50纳米线宽的多晶硅栅刻蚀掩膜图形。 |
| 其它备注: | |
科研产出