专利名称: 石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110274354.1
申请日期: 2011-09-16
第一发明人: 朱慧珑,梁擎擎,骆志炯,尹海洲